徐州經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)多晶硅產(chǎn)業(yè)鏈攀高拉長取得新成果，有協(xié)鑫集團投資的半導體級多晶硅和CVD法碳化硅沉積項目正在中能硅業(yè)有序實施，前者將一舉突破中國半導體產(chǎn)業(yè)在原料端的短板，后者將填補國內在石墨碳化涂層領域的空白，都將全面打破國外企業(yè)的壟斷格局，進一步鞏固中能硅業(yè)作為全球最大多晶硅研發(fā)制造商的領先領跑地位。
　　
　　據(jù)了解，協(xié)鑫集團聯(lián)手國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金會，共同進軍半導體多晶硅產(chǎn)業(yè)。目前，首期年產(chǎn)5000噸半導體用電子級多晶硅項目的基礎設施已全部完工，關鍵設備也已定制完成，預計今年年底可進行調試，預計2017年可給國內晶圓批量供貨，2018年可覆蓋國內所有半導體生產(chǎn)廠家。其中，首期年產(chǎn)5000噸半導體用電子級多晶硅中，安排生產(chǎn)國外對我國實施技術封鎖的區(qū)熔級多晶硅1000噸。區(qū)熔級多晶硅主要應用在特高壓、高鐵變頻、充電樁等高端電器上面，價格高出直拉電子級多晶硅3倍左右。該項目建成后，將突破中國半導體產(chǎn)業(yè)在原料端的短板，成為繼美國Hemlock、德國Wacker之后世界第三的半導體級多晶硅新材料基地。
　　
　　另據(jù)了解，CVD法碳化硅沉積項目是硅基材料的一個延伸，其產(chǎn)品碳化硅涂層具有熔點高、硬度大、強度高、耐腐蝕、抗氧化等特點，可廣泛應用于化工、電子、航天、光伏、半導體等產(chǎn)業(yè)領域，建成后年產(chǎn)碳化硅涂層165爐。CVD法碳化硅沉積項目的建成投產(chǎn)，將打破國外企業(yè)對這一行業(yè)的壟斷局面，填補國內在石墨碳化涂層材料的空白，進一步解決國內企業(yè)不斷增長的實際需求，推動第三代半導體材料產(chǎn)業(yè)加快發(fā)展。